Yeni jenerasyon bir manyetik bellek çeşidi olan SOT RAM elektronikte ultra düşük güç tüketiminin yolunu Avrupa yakası travesti açmak üzere hazırlanıyor Bu tahlil her ne kadar yararlı olsa da çeşitli zorlukları da beraberinde getiriyor Tokyo Bilim Üniversitesi nden bilim insanları SOT RAM lerde okuma süreci sırasında güvenliği tehlikeye Avrupa yakası travestileri atan bir sorun belirlediler
Neyse ki bahis üzerinde çalışan bilim insanları SOT RAM yapısında kimi değişiklikler yaparak bu sorunları büyük ölçüde azaltacak birtakım yollar buldular Değişimler bu tıp belleklerin daha Travesti Avrupa yakası süratli ve daha emniyetli olmasına ve sürdürülebilir IoT uygulamalarının ticarileştirilmesine yardımcı olacak
Nesnelerin İnterneti IoT çağının başlamasıyla birlikte birçok araştırmacı ilgili teknolojilerin birçoklarını daha sürdürülebilir hale getirmeye odaklandı Green IoT yaklaşımı objelerin interneti için büsbütün güç verimliliği üzerine ağırlaşıyor Araştırmacılar green IoT gayesine ulaşmak için klâsik elektroniklerin yapı taşlarından kimilerinin uygunlaştırılması yahut radikal bir halde değiştirilmesi için çalışmalar yürütüyor Tıpkı vakitte bu eserler sırf süratli değil tıpkı vakitte daha güç verimli hale gelmeli Bu mantık doğrultusunda dünya çapında birçok bilim insanı şu anda ultra düşük güç elektroniğine odaklanacak yeni manyetik RAM ler rastgele erişimli bellek geliştirmek ve bunu ticarileştirmek için çalışıyor
Bir manyetik RAM deki her bellek hücresi iki manyetik katmanın manyetik tarafının birbirine eşit yahut zıt olmasına bağlı olarak ya 1 ya da 0 kıymetiyle depolanıyor Çeşitli manyetik RAM çeşitleri mevcut Lakin bunlar temel olarak bellek hücresine yazma süreci sırasında manyetik katmanların manyetik istikametini değiştirme konusunda farklılık gösteriyor
Spin Transfer Torque RAM STT RAM halihazırda ticarileştirilmekte olan bir manyetik bellek çeşidi Öte yandan daha da düşük yazma akımları ve daha yüksek güvenilirlik elde etmek için Spin Orbit Torque RAM SOT RAM ismi verilen yeni bir manyetik bellek tipi etkin olarak araştırılmakta
SOT RAM de dönüş yörünge etkileşimlerinden yararlanarak yazma akımı büyük ölçüde azaltılabiliyor bu da güç tüketimini aşağı çekiyor Ayrıyeten bellek okuma ve yazma akımı yolları farklı olduğundan araştırmacılar başlangıçta saklanan kıymetlerdeki mümkün bozulmaların okuma yahut yazma sırasında da küçük olacağını düşündüler Ne yazık ki sonrasında durumun bu türlü olmadığı ortaya çıktı
Japonya daki Tokyo Bilim Üniversitesi nden araştırmacılar 2017 de SOT RAM lerin depolanmış bir kıymeti okurken ek bir düzensizlikle karşılaştığını bildirdi Klasik SOT RAM lerde okuma akımı aslında yazma akımının yolunun bir kısmını paylaşmakta Bir bedel okunurken okuma süreci Spin Hall tesiri nedeniyle istikrarsız akımlar üretiyor Sonuç olarak SOT RAM lerde okuma fonksiyonu daha inançsız ve kararsız hale geliyor
Prof Kawahara ve meslektaşları bu sorunu çözmek için yakın vakitte IEEE Transactions on Magnetics te yayınlanan öteki bir çalışma yürüttüler Grup SOT RAM ler için bu yeni okuma bozukluğu kaynağını geçersiz kılabilecek yeni bir okuma tekniği buldu Hülasa takımın fikirleri yepyeni SOT RAM yapısını çift istikametli bir okuma yolu oluşturacak halde değiştirme tekniğini temel alıyor Bir bedel okunurken okuma akımı manyetik katmanlardan tıpkı anda iki zıt istikamette seyrediyor Buna noktada her iki tarafta üretilen dönüş akımlarının ürettiği manyetik bozulmalar birbirini etkisiz hale getiriyor
Bellek okuma sorunlarındaki ana kaynağın gerisindeki teoriyi güçlendirmeye ek olarak araştırmacılar önerilen metotlarının aktifliğini doğrulamak için bir dizi simülasyon gerçekleştirdiler Manyetik katmanlar ve çeşitli aygıt biçimleri için üç farklı tipte ferromanyetik materyal test ettiler Prof Kawahara nın belirttiği üzere sonuçlar çok olumluydu
“Önerilen metodun SOT RAM deki klâsik okuma yoluna kıyasla tüm materyal parametreleri ve aygıt geometrileri için okuma bozukluğunu en az 10 kat azalttığını doğruladık ”
Araştırma grubu gerçek bir SOT RAM de kullanılacak dizi cinslerinin performansını test etti Bu testler değerli zira bir dizi yapısındaki okuma yolları her bir bellek hücresinin pozisyonuna bağlı olarak eksiksiz biçimde dengelenmez Sonuçlar yaklaşık 1 000 bellek hücresini birbirine bağlarken bile okuma problemlerini düşürmenin mümkün olduğunu gösteriyor Grup artık daha fazla sayıda entegre hücreye ulaşmak için formüllerini geliştirmeye çalışıyor
Bu çalışma şahsî bilgisayarlardan ve taşınabilir aygıtlardan büyük ölçekli sunuculara kadar düşük güçlü elektronikte yeni bir çağın yolunu açabilir Elde ettiği sonuçlardan mutlu olan Prof Kawahara şunları söylüyor
“Yeni jenerasyon SOT RAM lerin mevcut STT RAM lerden çok daha düşük yazma akımları kullanmasını ve bunun da kıymetli ölçüde güç tasarrufu sağlamasını bekliyoruz Çalışmamızın sonuçları ticarileştirilmeleri için gerekli olacak olan SOT RAM lerin ticarileştirilmesi için gerekli olan doğal meselelerinden birinin çözülmesine yardımcı olacak “
