Samsung, geleceğin ekran kartlarında kullanılacak olan GDDR7 bellekler ve ultra yüksek katmanlı V-NAND yongaların üretimi için çalıştığını duyurdu. Güney Koreli teknoloji devi, bu çeşit teknolojiler için harcamalarını azaltmayacağını, yavaşlayan piyasaya şartlarına karşın üretimi düşürmeyeceğini lisana getiriyor.
DRAM alanından başlayacak olursak, beşinci jenerasyon 10nm sınıfı çipler için hacimli üretimin (1b isimli teknik) 2023 yılına kadar başlayacağı duyuruldu. Şirket ayrıyeten 10nm altı DRAM teknolojileri için yeni malzemeler, modelleme ve mimariler araştırıyor. Ekseriyetle 14nm sınıfında DRAM çipleri üreten Samsung, bu mevzuda rakiplerinin çok daha ilerisinde.
Grafik belleğine gelince, önümüzdeki yıllarda ekran kartlarında ve hızlandırıcılarda kullanılacak olan GDDR7 bellekler şimdiden üretimde. GDDR7 standardı, GDDR6’nın sunduğu 18 Gb/sn suratı ikiye katlayarak 36 Gb/sn’ye varan suratlar sunacak. Bu data suratlarıyla birlikte 384 bitlik bir bilgi yoluna sahip ekran kartında yaklaşık 1.728 TB/sn bant genişliği elde edilecek. Bu ortada, yaklaşan RTX 4090’ın teorik olarak 1 TB/sn’lik bant genişliği sağladığını hatırlatalım.
Söz konusu NAND teknolojisi ve SSD’ler olduğunda elbet Samsung birinci sıralarda. Şirket artık katman yoğunluğunda günümüz teknolojisine kıyasla kıymetli gelişmeler sunacak 9. ve 10. kuşak V-NAND yongalarını tasarlamakla meşgul. Son teknoloji 7. kuşak V-NAND çipler 176 katmana sunuyor. Samsung, yıl bitmeden 230 katmanlı 8. jenerasyon V-NAND çiplerini piyasaya sürmek için planlar yapıyor.
Teknolojinin farklı alanlarında rol oynayan şirket, 9. jenerasyon V-NAND’ın geliştirme evresinde olduğunu söylüyor. İşler yolunda giderse seri üretim 2024’te başlayacak. 2030 yılına uzanan amaçlara gelince, 1.000’den fazla katman sunan depolama yongaları planlanıyor.
