Samsung, bu yıl 3GAE (3nm-sınıfı, gate-all-around) süreç teknolojisini kullanarak hacimli çip üretimine başladığını duyurmuştu. Şirket duyurusunda ser verip sır vermezken bu öncü teknolojilerin hangi aygıtlarda kullanılacağından hiç bahsetmedi. Görünüşe nazaran şirket, kripto para madenciliği için özel bri entegre devre (ASIC) üretmek üzere 3GAE tekniğini kullanıyor.
3GAE üretim teknolojisi, Samsung’un MBCFET’ler (multi-bridge channel field-effect transistors) olarak isimlendirdiği gate-all-around (GAA) transistörlere dayanıyor. GAAFET bilhassa yüksek performanslı ve taşınabilir tahliller için yararlı. Bu nedenle Intel ve TSMC üzere şirketler 2024 – 2025 yıllarında bu sürece geçiş yapmak için mesai harcıyor.
TrendForce tarafından gelen haberlere bakacak olursak, GAAFET teknolojisinden birinci olarak kripto madenciliğinde kullanacak ASIC’ler yararlanacak. Firma analistleri, Güney Koreli şirketin 3GAE sürecini taşınabilir işlemcilere önümüzdeki yıl getireceğini söylüyor.
Kripto para madenciliğinde kullanılan çipler nispeten kolay ve küçük yapıdadır. Operasyonlarda verimlilik elde etmek için çok sayıda emsal çip bir ortaya gelir. Gerçekten yeni üretim teknolojilerinin bu tıp yapılandırmalar için büyük avantajlar sağlaması bekleniyor.
Farklı transistör yapıları kullanan taşınabilir SoC’ler ise sayısız bilgi süreç ünitesini içinde barındırmakta. Bu nedenle Samsung’un performans, verimlilik ve yoğunluk hakkında daha fazla bilgi edinmesi için kripto ASIC’lerini kullanması mantıklı. Çinli SMIC, misal formda 7nm sınıfı teknolojilerini test etmek için MinerVa madencilik ASIC’ini kullanmıştı.
Samsung, yeni kuşak üretim teknolojileri kelam konusu olduğunda ekseriyetle resmiyette TSMC ve Intel’in önünde gidiyor. Fakat birçok durumda TSMC’de üretilen benzeri çipler daha yüksek verimlilik ve performans sağlıyor.
