TSMC, önümüzdeki üç yıl içinde piyasaya sürülmesi beklenen 3nm işlemci serisini duyurdu. Yeni FinFlex teknolojisi sayesinde, çip tasarımcılarına her bir standart hücreyi istenen güç tüketimi, performans ve yoğunluk için optimize edebilme konusunda daha fazla esneklik sağlıyor.
TSMC, tüm N3 süreç düğümleri için yeni CPU ailesini tanıtmış oldu. AMD, Apple, Nvidia ve hatta Intel üzere çip üreticileri, önümüzdeki birkaç yıl boyunca son teknoloji çiplerini üretmek için bu yeni seri düğümü kullanacaklar.
TSMC FinFlex işlemcileriyle çağ atlayabilir
Tayvanlı şirketin toplam beş farklı 3nm sınıfı düğümü var. N3, bu yılın sonlarında yüksek hacimli üretimlere başlayacak ve birinci çiplerin önümüzdeki yılın başlarında müşterilere ulaştırılması bekleniyor. N3E, performans ve verimlilik iyileştirmeleri, daha yüksek randıman, biraz daha azaltılmış mantık yoğunluğu ile daha sonra piyasaya sürülmesi bekleniyor.
2024 civarında TSMC, performans güzelleştirmelerine odaklanan N3P’yi piyasaya sürecek. TSMC’nin yol haritasında yer almayan N3S durumu ise Kıdemli Lider Yardımcısı Kevin Zhang‘ın açıklamalarında pek de ayrıntılı olmasa da bahsedildi. (Açıklama için)
Son olarak, N3X ise yaklaşık bir yıl sonra çıkacak ve daha yüksek voltajlarda son derece yüksek performansa imkan tanıyacak biçimde, verimlilik ve maliyetleri art planda tutacak. Bu yaklaşım, gelecek yıl seri üretime başlayacak olan 5nm sınıfından “N4X” sürecine misal biçimde olması bekleniyor.
TSMC’nin N3 ve N3E düğümleri, şirketin yeni FinFlex teknolojisini de destekleyecek. Şu anda ki teknolojide, çip dizayncıları bir SoC içindeki her bir blok için bir kitaplık seçebiliyorlar. FinFlex teknolojisiyle artık bu sınırlama ortadan kalkıyor ve her blokta farklı kitaplıkları karıştırıp eşleştirebilme hakkına sahip oluyorlar.
Güç tüketimini ve kalıp boyutunu (maliyeti) azaltmak için birtakım kısımlarda 2-1 (çift kapılı tek kanatlı) FinFET kullanabilirler ve azamî performansın çok değerli olduğu başka alanlarda ise 3-2 FinFET’i tercih edebilirler. Bu ortada, 2-2 FinFET ise, boyut, performans ve güç tüketimi konusunda istikrar sağlayabiliyor. TSMC ayrıyeten, 2025’in ikinci yarısında hacimli üretime başlamayı planlayan, çok taraflı alan tesirli transistörlerini (GAAFET’ler) kullanacak olan N2 süreç düğümünden de bahsetti.
N3E ile karşılaştırıldığında, birebir frekansta yüzde 25-30 daha az güç çekeceği ve birebir güç tüketimi ve transistör sayısı ile yüzde 10-15 daha fazla performans sağlayacağı bildiriliyor. Bu ortada, çip yoğunluğunun yüzde 10’un üzerinde artacağı da bildiriliyor.
