Yarı iletken kesiminin öncülerinden olan Samsung, yıllık Samsung Foundry Forum etkinliğinde en son teknolojileriyle ilgili bilgiler sağladı. Yüksek performanslı bilgi süreç (HPC), yapay zeka (AI), 5G/6G teknolojileri ve otomotiv uygulamalarında yaşanan büyümeyle birlikte yarı iletkenlere olan talep süratli bir formda arttı ve artmaya devam ediyor. Samsung ise 2027 yılında gelişmiş 1.4nm üretim teknolojisini hayata geçireceğini duyurdu.
Yarı iletken üreticisi, GAA (gate-all-around) tabanlı teknolojileriyle birlikte 3nm süreç teknolojisinde seri üretime başlamıştı. Şirketin hedefi, GAA tekniğini geliştirerek 2025 yılında 2nm, 2027 yılında ise 1.4nm nodunda üretim yapmak.
- Samsung, 2025’e kadar 2nm ve 2027’ye kadar 1.4nm teknolojilerinde seri üretime geçmeyi planlıyor.
- 2027 yılına kadar gelişmiş teknolojiler için üretim kapasitesinin 3 kattan fazla artırması hedefleniyor.
- HPC ve otomotiv dahil olmak üzere taşınabilir olmayan uygulamaların, 2027 yılına kadar dökümhane portföyünün %50’sini aşması bekleniyor.
Yarı iletken teknolojilerini geliştirmeye devam eden Samsung, ek olarak üstün sistem tahlilleri sağlamak için 2.5D/3D heterojen entegrasyon paketleme teknolojisinin gelişimini de hızlandırıyor. Bu bağlamda “micro-bump” orta temaslı 3D paketleme teknolojisi “X-Cube” 2024 yılında, bump-less X-Cube teknolojisi ise 2026 yılında hazır olacak.
Samsung Foundry lideri Dr. Si-young Choi, şirketin yol haritasıyla ilgili şu açıklamayı yaptı:
“1.4nm’ye kadar teknoloji geliştirme amacı ve her uygulama için özelleşmiş dökümhane platformları, dengeli yatırımlarla istikrarlı tedarik ile birlikte Samsung’un müşterilerin inancını sağlama ve muvaffakiyetlerini destekleme stratejilerinin bir modülüdür. Her müşterimizin inovasyonlarını iş ortaklarımızla birlikte gerçekleştirmek, dökümhane hizmetimizin merkezinde yer almaktadır.“
