Samsung 200 den fazla katmana sahip olacak katı hal depolama aygıtları için daha yüksek performans Üsküdar Escort ve bit yoğunlukları sağlayacak 8 Kuşak V NAND belleklerin seri üretimine başlayacağını duyurdu Teknoloji devi aslında 2013 yılında 24 katmanlı V NAND flash yongalarıyla birlikte rakiplerinden öndeydi Öteki şirketlerin yetişmesi Şerifali Escort vakit aldı lakin artık birçok bellek üreticisi yüksek katmanlı yongalar sunabiliyor
Micron 232 katman SK Hynix ise 238 katmanlı 3D TLC NAND çipleriyle Samsung un önüne geçmişti Lakin Güney Koreli İstanbul Escort dev yerinde durmuyor ve 236 katmanlı 3D NAND V NAND markalı teknolojisi için toplu üretime başlıyor
Bugün Samsung un 7 Jenerasyon V NAND teknolojisi esasen 2 0 GT s ye Ümraniye Escort kadar arayüz suratları sunuyor Şirketin yeni jenerasyon ile arayüz suratını daha da artırmasını bekliyoruz Ayrıyeten program blok boyutuyla birlikte NAND performansının artması ve okuma sürecindeki gecikmelerin azalması olası Ancak ne Anadolu Yakası Escort yazık ki şirket kesin özellikleri sağlamadı
Artan NAND katmanı bazen flash bellek ölçeklendirmesinin kolay bir yolu olarak kabul edilse de durum her vakit bu türlü değil NAND katmanlarını daha ince ve hasebiyle daha küçük hücreler yapmak ve bitleri daha muteber halde depolamak için yeni materyaller kullanmak gerekir Ayrıyeten yüzlerce katmanı aşındırmak güç olduğundan 3D NAND üreticilerinin yüzlerce katmanla 3D NAND oluşturmak için dizi istifleme string stacking tekniklerini benimsemesi gerekiyor Samsung 176 katmanlı V7 NAND ile dizi istiflemeyi şimdi benimsemedi lakin teknolojinin 236 katmanlı V8 NAND için kullanılıp kullanılmayacağı şimdi aşikâr değil
