Çin merkezli Yangtze Memory Technologies (YMTC), Xtacking NAND teknolojisinde (şu anda üçüncü neslinde) yeni bir jenerasyona geçiş yaptığını duyurdu. Şirkete nazaran yeni NAND yongaları (X3-9070) evvelki dizaynlara nazaran (128 katmanlı Xtacking 2.0 teknolojisine dayalı olarak) performansı %50 artırırken, yoğunluğu yonga başına iki katına (1 TB’a) çıkarıyor. Ayrıyeten artan performansa karşın güç tüketiminin %25’e kadar azaldığı vurgulanıyor.
Forward Insights’ın kurucusu ve baş analisti Gregory Wong Çinli üreticinin teknolojileri hakkında değerlendirmeler yaptı:
“YMTC’nin kendi geliştirdiği Silicon Stack 3.0 mimarisinin ortaya çıkışı, 3D NAND yolunda kıymetli bir atılımdır. Depolama dizilerinin ve çevresel mantık devrelerinin hibrit bağlanması, 3D NAND teknolojisinin geliştirilmesi ve yenilikler kelam konusu olduğunda epeyce gerekli.”
YMTC’nin Xtacking 3.0 teknolojisi, evvelki jenerasyonun azamî 1.600 MT/sn’lik suratına kıyasla 2.400 MT/sn’ye ulaşarak evvelki %50’lik bir performans artışı getiriyor. Çinli üretici ayrıyeten geçmiş kuşakta benimsenen 4 düzlemli tasarım yerine 6 düzemli NAND dizaynıyla hem performans hem de güç verimliliği geliştirmeleri sağlandığını belirtiyor. Yoğunluğun iki katına çıkması da küçümsenecek bir şey değil, bilgi depolama gereksiniminin daima arttığı bir dünyada kıymetli olan bir gelişme.
Teknolojik gelişimini sürdüren YMTC, hala Micron ve SK Hynix üzere başka NAND üreticilerinin gerisinde. Micron, etkileyici yoğunluk ve performans özelliklerine sahip 232 katmanlı NAND teknolojisinin bu yılın sonlarına hakikat seri üretime gireceğini söylemişti. SK Hynix ise 238 katmanlı “4D NAND” olarak isimlendirilen yongaların üretimine 2023 yılının birinci çeyreğinde başlayacak.
