Micron, yatırımcılarla yaptığı bir toplantıda şu an için en gelişmiş teknoloji olarak öne çıkan 232 katmanlı NAND Flash tahlilini tanıttı. Bellek üreticisi, toplam 232 katman elde etmek ve bir çift TLC yığını oluşturmak için platform olarak şirketin CMOS Under Array (CuA) ismini verdiği metodu kullanıyor.
Her istiflenen NAND Flash çipinin 1 Terabit yahut 128 GB kapasiteye sahip olduğu söyleniyor, bu nedenle kapasite açısından bir artış görmüyoruz. Lakin Micron, üretim teknolojileri sayesinde bant genişliğini artacağını söylüyor. Sonuç olarak rakiplerine kıyasla daha âlâ performanslar görebiliriz. Yeni NAND Flash’ın SSD’ler, eMMC ve UFS üzere sınıflar için optimize edilmesi gerekiyor.
Micron ayrıyeten gelecekte 300 ve 400 katmanlı NAND teknolojilerine geçmeden evvel 200’den fazla katmanlı eserleri gösteren güncellenmiş bir NAND Flash yol haritası da açıkladı. 300 katmanlı yığınlar yapısal geliştirme basamağındayken, 400 katmanlı eserler hala araştırmaların çok erken etaplarında. Yeni 232 katmanlı NAND yongalarla inşa edilen eserlerin bu yılın sonuna hakikat seri üretime geçeceği söyleniyor. Hakikaten 2023’e kadar Micron’un 232 katmanlı 3D NAND çiplerini kullanan eserler görmeyi beklemiyoruz.
